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    P3C1041-10TI 参数 Datasheet PDF下载

    P3C1041-10TI图片预览
    型号： P3C1041-10TI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高速256K ×16 （ 4 MEG ）静态CMOS RAM [HIGH SPEED 256K x 16 (4 MEG) STATIC CMOS RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 291 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P3C1041-10TI的Datasheet PDF文件第9页  
    P3C1041
    功耗特性VS. SPEED
    符号
    I
    CC
    参数
    动态工作电流*
    温度
    范围
    广告
    产业
    –10
    90
    不适用
    –12
    85
    95
    –15
    80
    90
    –20
    75
    85
    单位
    mA
    mA
    *V
    CC
    = 3.6V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
    CE
    = V
    IL
    ,
    OE
    = V
    IH
    .
    AC电气特性 - 读周期
    (V
    CC
    = 3.3V ± 0.3V ，全温度范围）
    (2)
    符号。
    t
    RC
    t
    AA
    t
    AC
    t
    OH
    t
    LZ
    t
    HZ
    t
    OE
    参数
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片使能存取时间
    从地址变更输出保持
    芯片使能在低Z输出
    芯片禁用高Z输出
    输出使能低到数据有效
    -10
    民
    10
    10
    10
    3
    3
    5
    5
    3
    3
    最大
    民
    12
    -12
    最大
    12
    12
    3
    3
    6
    6
    民
    15
    -15
    最大
    15
    15
    3
    3
    7
    7
    民
    20
    -20
    最大
    20
    20
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    8
    8
    ns
    ns
    t
    OLZ
    t
    OHZ
    t
    PU
    t
    PD
    t
    BE
    t
    LZBE
    t
    HZBE
    输出使能低到低Z
    输出使能高到高Z
    芯片使能上电时间
    芯片禁用断电时间
    字节使能到数据有效
    字节使能以低Z
    字节禁止以高Z
    0
    5
    0
    10
    5
    0
    6
    0
    6
    0
    12
    6
    0
    6
    0
    7
    0
    15
    7
    0
    7
    0
    8
    0
    20
    8
    0
    8
    ns
    ns
    ns
    ns
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    ns
    ns
    文档＃
    SRAM130
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