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HYB18TC512800BF-3S 参数 Datasheet PDF下载

HYB18TC512800BF-3S图片预览
型号: HYB18TC512800BF-3S
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内容描述: 512兆位双数据速率 - 双SDRAM的 [512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 61 页 / 3372 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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互联网数据表
HYB18TC512[16/80]0BF
512兆位双数据速率 - 双SDRAM的
1
概观
本章提供了512兆双倍数据速率- SDRAM两个产品系列的概述,并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
512 - Mbit的双数据速率 - 双SDRAM提供以下主要功能:
•片外驱动器阻抗调整( OCD)和开 -
• 1.8 V
±
0.1 V电源1.8 V
±
0.1 V( SSTL_18 )
模端接( ODT)为更好的信号质量。
兼容的I / O
•自动预充电操作进行读取和写入突发
• DRAM的组织与/ 4 , 8和16的数据输出
•自动刷新,自刷新和节能电源 -
•双数据速率的架构:每两次数据传输
断模式
时钟周期的四个内部银行的并发操作
•平均更新周期7.8
µs
T
低于85
•可编程CAS延时: 3 ,4,5和6中
•可编程突发长度: 4和8
°C, 3.9
µs
在85 ℃和95 ℃下
•差分时钟输入( CK和CK )
•通过EMRS2设置可编程自刷新速率
•通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新
•双向,差分数据选通( DQS和DQS )是
• DCC通过EMRS2设置启用
发送/接收的数据。与读取边缘对齐
•完整和强度降低数据输出驱动器
数据中心对齐与写入数据。
• 1kB的页面大小
×8,
2KB页大小
×16
• DLL对齐DQ和DQS转换时钟
•封装: PG - TFBGA - 84
×8
组件PG- TFBGA-
• DQS可以用于单端数据选通信号被禁止
60
×16
组件
手术
•符合RoHS标准的产品
1)
•进入每个时钟上升沿命令,数据和
数据掩码被引用到的DQS的两个边缘
•比DDR400快所有的速度等级符合
•数据掩码( DM ),用于写入数据
DDR400时序规格在时钟速率运行时
•中科院发布了可编程的附加延迟更好
200兆赫。
指令和数据总线效率
为各种速度下的性能表的列表可以在下面找到
1 )符合RoHS产品:使用某些有害物质指令(RoHS )的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会,欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ,
铅,镉,六价铬,多溴联苯和多溴联苯醚。
牧师1.11 , 2006-09
03292006-HDLH-OAY6
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