互联网数据表
HYS64T[32/64/128]xxxEDL–[25F/…/3.7](–)B2
小轮廓DDR2 SDRAM模块
1
概观
本章提供了200引脚小外形DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
自动刷新（ CBR）和自刷新
自动刷新的温度超过85°C
t
REFI
= 3.9
µs.
通过EMRS2设置可编程自刷新速率。
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新。
通过EMRS2设置DCC实现。
所有输入和输出SSTL_1.8兼容
片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上
端接（ ODT ）
串行存在检测为E
2
舞会
SO- DIMM尺寸（标称）：30毫米高， 67.6毫米
WIDE
基于标准的参考布局原卡'A' ， 'C'
和“E”
符合RoHS标准的产品
1)
• 200针PC2-6400 ， PC2-5300和PC2-4200 DDR2
SDRAM内存模块。
• 128M
×
64, 32M
×
64, 64M
×
64模块的组织，并
32M
×
16, 64M
×
8片组织
• 1GB ， 512MB ， 256MB模块与内置的512Mb DDR2
在PG- TFBGA -60和PG- TFBGA -84 chipsize的SDRAM
包。
•标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
供应
•比DDR2-400更快的所有速度等级符合
DDR2-400时序规范。
•可编程CAS潜伏期（ 3，4， 5和6） ，突发
长度（8 & 4）。
表1
性能表
质量保证小组的速度代码
DRAM速度等级
模块速度等级
CAS- RCD -RP潜伏期
马克斯。
时钟频率
CL3
CL4
CL5
CL6
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
1)
分钟。行周期时间
DDR2
PC2
–25F
–800D
–6400D
5–5–5
–2.5
–800E
–6400E
6–6–6
200
266
333
400
15
15
45
–3
–667C
–5300C
4–4–4
200
333
333
–
12
12
45
–3S
–667D
–5300D
5–5–5
200
266
333
–
15
15
45
60
–3.7
–533C
–4200C
4–4–4
200
266
266
–
15
15
45
60
单位
t
CK
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
57.5
60
57
1 ） 2007年1月8日之后发布的产品将支持
t
RAS
= 40 ns的所有DDR2速度排序。
f
CK3
f
CK4
f
CK5
f
CK6
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
200
266
400
–
12.5
12.5
45
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
牧师1.13 ， 2007-10
08212006-PKYN-2H1B
3
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
