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HYS72D64320GBR-5-C 参数 Datasheet PDF下载

HYS72D64320GBR-5-C图片预览
型号: HYS72D64320GBR-5-C
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内容描述: 184引脚均录得双数据速率SDRAM模块 [184-Pin Registered Double Data Rate SDRAM Module]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 50 页 / 2930 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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互联网数据表
HYS72D[128/64/32]3xx[G/H]BR–[5/6/7]–C
录得双数据速率SDRAM
3
3.1
电气特性
工作条件
本章列出的电气特性。
本章包括工作条件表。
表8
绝对最大额定值
参数
符号
分钟。
在I / O引脚相电压
V
SS
在相对于输入电压
V
SS
电压
V
DD
相对于供应
V
SS
电压
V
DDQ
相对于供应
V
SS
工作温度(环境)
存储温度(塑料)
功耗(每SDRAM组件)
短路输出电流
典型值。
1
50
马克斯。
单位
注/测试
条件
V
IN
,
V
OUT
V
IN
V
DD
V
DDQ
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
–0.5
–1
–1
–1
0
–55
V
DDQ
+0.5
+3.6
+3.6
+3.6
+70
+150
V
V
V
V
°C
°C
W
mA
注意:该设备永久损坏,如果“绝对最大额定值”超出可能发生。这是一个应力
只有等级,并且功能操作应仅限于推荐的操作条件。曝光
在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性和
超过仅一个值,可能会对集成电路不可逆转的损害。
表9
电气特性及直流工作条件
参数
符号
分钟。
器件的电源电压
器件的电源电压
输出电源电压
输出电源电压
Ë PROM电源电压
电源电压, I / O电源
电压
输入参考电压
I / O终端电压
(系统)
2
典型值。
2.5
2.6
2.5
2.6
2.5
0.5
×
V
DDQ
马克斯。
2.7
2.7
2.7
2.7
3.6
0
0.51
×
V
DDQ
单位注
1)
/测试条件
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
DDSPD
V
SS
,
V
SSQ
V
REF
V
TT
2.3
2.5
2.3
2.5
2.3
0
0.49
×
V
DDQ
V
V
V
V
V
V
V
V
f
CK
166兆赫
f
CK
> 166兆赫
2)
f
CK
166兆赫
3)
f
CK
> 166兆赫
4)
5)
V
REF
– 0.04
V
REF
+ 0.04
牧师1.32 , 2007-03
03292006-Q22P-G7TH
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