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FM24W256-GTR 参数 Datasheet PDF下载

FM24W256-GTR图片预览
型号: FM24W256-GTR
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内容描述: 256KB宽电压串行F-RAM [256Kb Wide Voltage Serial F-RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 229 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM24W256 - 256Kb的宽电压I2C F-RAM
概观
该FM24W256是一个串行F-RAM存储器。该
存储器阵列被逻辑地组织为32,768 ×8个
位的存储器阵列和使用工业访问
标准的两线接口。功能操作
在F - RAM是类似于串行EEPROM 。主要
该FM24W256和串行之间差
EEPROM具有相同的引脚涉及到其优越
写性能。
双线接口
该FM24W256采用双向双线
使用很少的引脚或电路板空间总线协议。图2
示出了使用一个典型的系统配置
FM24W256在基于微控制器的系统中。该
行业标准的两线总线是熟悉的许多
用户,但在本节进行说明。
按照惯例,将数据发送到任何设备
总线发送器,而对于目标设备
这个数据是接收机。正在控制设备
总线是主。主负责
产生的时钟信号执行所有操作。任何
正被控制的总线上的设备是从设备。
该FM24W256始终是一个从设备。
该总线协议是由过渡态的控制
SDA和SCL信号。有四个条件
包括启动,停止,数据位,或确认。身材
图3示出了指定4的信号条件
状态。详细的时序图,是在电
特定连接的阳离子。
内存架构
当访问FM24W256 ,用户地址
每8个数据位32,768地点。这些数据位
串行移位。 32,768地址
使用两线协议访问,其中包括
从器件地址(以区分其他非内存
设备) ,以及一个2字节的地址。只有低15位
用于访问存储器所使用的解码器。
最上部的地址位应被设置为0,为
在高密度设备的兼容性
未来的。
对存储器操作的存取时间主要
零以外所需的串行通信协议的时间。
即,存储器读出或写入时的速度
两线总线。不象一个EEPROM ,它不是
要轮询设备的就绪状态
因为写发生在总线速度。即,通过在时间
新的总线事务可以被移入部分,一个
写操作就完成了。这是在说明
在下面的接口部分更多的细节。
用户希望从几个明显的系统优势
由于其快速的写入周期和高的FM24W256
耐力与EEPROM相比。但
也有不太明显的好处。例如
在高噪声的环境中,在快速的写操作
不易受腐败比EEPROM
因为它是很快完成。与此相反,一个
EEPROM需要毫秒写的是
容易受到噪声中多循环。
应注意的是,用户“的责任,以确保
V
DD
是数据表的公差,以防止内
不正确的操作。
VDD
R
= 1.1千欧
R
最大
= t
R / CBUS
微控制器
SDA
SCL
SDA
SCL
FM24W256
A0 A1 A2
FM24W256
A0 A1 A2
图2.典型系统配置
修订版1.3
2011年7月
第13 3