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    K4S560432E-TL75 参数 Datasheet PDF下载

    K4S560432E-TL75图片预览
    型号： K4S560432E-TL75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Mb的电子芯片SDRAM规格 [256Mb E-die SDRAM Specification]
    分类和应用： 电子动态存储器
    文件页数/大小： 14 页 / 198 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K4S560432E-TL75的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K4S560432E-TL75的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4S560432E-TL75的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4S560432E-TL75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4S560432E-TL75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4S560432E-TL75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4S560432E-TL75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4S560432E-TL75的Datasheet PDF文件第9页  
    SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16)
    Revision History
    Revision 1.0 (May. 2003)
    - First release.
    Revision 1.1 (June. 2003)
    - Correct Typo
    Revision 1.2 (June. 2003)
    - Added 166MHz speed bin in x16
    Revision 1.3 (September. 2003)
    - Corrected typo in ordering information.
    Revision 1.4 (February, 2004)
    - Corrected typo.
    Revision 1.5 (May, 2004)
    Added Note 5. sentense of tRDL parameter
    CMOS SDRAM
    Rev. 1.5 May 2004

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