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K4J55323QF-GC20 参数 Datasheet PDF下载

K4J55323QF-GC20图片预览
型号: K4J55323QF-GC20
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内容描述: 的256Mbit GDDR3 SDRAM [256Mbit GDDR3 SDRAM]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 49 页 / 1026 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K4J55323QF-GC
CAS延迟(读延迟)
256M GDDR3 SDRAM
CAS等待时间是延迟,在时钟周期,一个READ命令的登记和输出的第一比特的可用性之间
数据。该延迟可以被设置为5〜 9的时钟。如果读命令注册在时钟边沿
n,
和等待时间是
m
时钟,将数据
可与时钟边沿名义上一致
N + M 。
下表显示的工作频率,在每个CAS延迟设定
亭可以使用。保留的国家不应该被用来作为未知的操作或不符合将来的版本可能会导致。
CAS延迟
允许工作
频率(MHz)
速度
-12
-14
-16
-20
CL=9
800
700
CL=8
-
-
600
CL=7
-
-
-
500
CL=6
-
-
-
-
CL=5
-
-
-
-
-
-
-
T0
T3
T4
T5
T5n
∼ ∼∼ ∼
∼ ∼∼ ∼
/ CK
CK
命令
NOP
CL = 5
NOP
NOP
0
RDQS
DQ
T0
T4
T5
T6
T6n
∼ ∼∼ ∼
∼ ∼∼ ∼
/ CK
CK
命令
NOP
CL = 6
NOP
NOP
RDQS
DQ
突发长度= 4的情况下,显示
显示与标称吨
AC
和名义吨
DSDQ
不在乎
数据转换
- 12 -
REV 1.8 ( 2005年4月)