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    K4J55323QF-GC20 参数 Datasheet PDF下载

    K4J55323QF-GC20图片预览
    型号： K4J55323QF-GC20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 的256Mbit GDDR3 SDRAM [256Mbit GDDR3 SDRAM]
    分类和应用： 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 49 页 / 1026 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第10页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第11页浏览型号K4J55323QF-GC20的Datasheet PDF文件第12页  
    K4J55323QF-GC
    功能说明
    简化的状态图
    动力
    应用的
    动力
    On
    256M GDDR3 SDRAM
    预充电
    Preall
    自
    刷新
    REFS
    REFSX
    太太
    EMRS
    太太
    空闲
    REFA
    AUTO
    刷新
    休克尔
    CKEH
    活跃
    动力
    下
    CKEH
    休克尔
    法案
    预充电
    动力
    下
    ROW
    活跃
    写
    写一个
    写
    写
    读了
    读
    读
    读
    写一个
    读
    A
    写
    A
    PRE
    PRE
    PRE
    读了
    读
    A
    PRE
    预充电
    Preall
    自动顺序
    命令序列
    PREALL =预充电所有银行
    MRS =模式寄存器设置
    EMRS =扩展模式寄存器设置
    REFS =输入自刷新
    REFSX =退出自刷新
    REFA =自动刷新
    休克尔=进入掉电
    CKEH =退出掉电
    ACT =活动
    写A =写有Autoprecharge
    阅读A =阅读与Autoprecharge
    PRE =预充电
    - 8 -
    REV 1.8 （ 2005年4月）

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