K4S161622E
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SDRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 〜70℃ ）
参数
电源电压
输入逻辑高votlage
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
:
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
=1.4V
±
200毫伏）
针
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
2
2
2
3
最大
4
4
4
5
单位
pF
pF
pF
pF
时钟
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， L（ U） DQM
地址
DQ
0
？ DQ
15
去耦电容线路指南
推荐的去耦电容加到电源线板。
参数
V之间的退耦电容
DD
和V
SS
V之间的退耦电容
DDQ
和V
SSQ
符号
C
DC1
C
DC2
价值
0.1 + 0.01
0.1 + 0.01
单位
uF
uF
注意：
1. V
DD
和V
DDQ
销彼此分开。
所有V
DD
引脚连接在芯片上。所有V
DDQ
引脚连接在芯片上。
2. V
SS
和V
SSQ
销彼此分开
所有V
SS
引脚连接在芯片上。所有V
SSQ
引脚连接在芯片上。
1.1版03月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
