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K4S161622E-TC70 参数 Datasheet PDF下载

K4S161622E-TC70图片预览
型号: K4S161622E-TC70
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内容描述: 1M ×16 SDRAM [1M x 16 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 42 页 / 674 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K4S161622E
AC运行试验条件
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
输入电平( VIH / VIL)
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
3.3V
CMOS SDRAM
价值
2.4 / 0.4
1.4
潮流/ TF = 1/1的
1.4
SEE图。 2
Vtt=1.4V
单位
V
V
ns
V
1200Ω
产量
870Ω
50pF
V
OH
(DC )= 2.4V时,我
OH
= -2mA
V
OL
( DC )= 0.4V时,我
OL
= 2毫安
产量
Z0=50Ω
50Ω
50pF
(图1 )直流输出负载电路
(图2 ) AC输出负载电路
经营AC参数
(交流工作条件,除非另有说明)
参数
CAS延迟
CLK周期时间
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
行周期时间
在过去的数据来行预充电
在新col.address延迟的最后一个数据
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
模式寄存器设置循环时间
有效输出数
数据
符号
CL
t
CC(分钟)
t
RRD (分钟)
t
RCD (分钟)
t
RP (分钟)
t
RAS (分钟)
t
RAS (最大)
t
RC
(
)
t
RDL (分钟)
t
CDL (分钟)
t
BDL (分钟)
t
的CCD (分钟)
t
刘健(分钟)
CAS延时= 3
CAS延时= 2
10
10
10
7
3
3
7
3
3
7
3
3
7
2
2
5
3
3
7
100
10
1
1
1
1
2
2
1
7
9
7
7
6
3
5.5
VERSION
-55
2
10
3
6
-60
2
10
3
7
2
2
2
5
3
3
6
2
2
5
2
2
5
2
2
4
-70
2
10
3
8
-80
2
10
3
10
-10
2
12
单位
CLK
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
us
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
ea
4
1
2, 5
2
2
1
1
1
1
注意事项:
1.时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期的时间,然后需要的最短时间来确定
四舍五入到下一个较大整数。请参考下面的时钟单元根据AC转换表
1.1版03月