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    K6R1008V1C-TI15 参数 Datasheet PDF下载

    K6R1008V1C-TI15图片预览
    型号： K6R1008V1C-TI15
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128Kx8位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作） 。 [128Kx8 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating).]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 138 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第9页  
    初步
    P
    K6R1008V1C -C / C -L ， K6R1008V1C -I / C -P
    文档标题
    128Kx8位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作） 。
    工作在商用和工业温度范围。
    CMOS SRAM
    修订历史
    版本号
    修订版0.0
    1.0版
    历史
    最初的版本有初步。
    放松直流特性。
    项
    I
    CC
    12ns
    15ns
    20ns
    数据稿
    8月5日1998年
    九月7， 1998
    前
    70mA
    68mA
    65mA
    变
    75mA
    73mA
    70mA
    三月3， 1999
    最终科幻
    备注
    初步
    初步
    修订版2.0
    发布到最终数据手册。
    2.1 。初步删除。
    2.2 。改变待机电流。
    项
    前
    待机电流（ ISB1 ）
    0.3mA
    2.3 。添加的数据保持特性。
    添加10ns的一部分。
    V
    IH
    /V
    IL
    变化
    项
    V
    IH
    V
    IL
    前
    民
    2.0
    -0.5
    最大
    V
    CC
    +0.5
    0.8
    民
    2.0
    -0.3
    变
    0.5mA
    修订版3.0
    第3.1版
    四月24， 2000
    10月2日2000
    变
    最大
    V
    CC
    +0.3
    0.8
    九月24， 2001
    最终科幻
    最终科幻
    修订版4.0
    删除20ns的速度斌
    最终科幻
    所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
    规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
    系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
    -1-
    修订版4.0
    2001年9月

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