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    K6R1008V1C-TI15 参数 Datasheet PDF下载

    K6R1008V1C-TI15图片预览
    型号： K6R1008V1C-TI15
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128Kx8位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作） 。 [128Kx8 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating).]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 138 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6R1008V1C-TI15的Datasheet PDF文件第9页  
    初步
    P
    K6R1008V1C -C / C -L ， K6R1008V1C -I / C -P
    注（ READ
    循环）
    1.我们是高读周期。
    2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
    3. t
    HZ
    和T
    OHZ
    被定义为在所述输出达到开路状态而没有被引用到V的时间
    OH
    or
    V
    OL
    的水平。
    4.在任何给定的温度和电压条件下，叔
    HZ
    （最大）小于吨
    LZ
    （分钟）都对于给定的设备和从设备到
    装置。
    5.转换测量
    ±200mV
    从稳态电压与负载（B ） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
    6.设备，不间断地与CS = V选择
    IL 。
    7.地址有效之前，暗合了CS变为低电平。
    8.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
    CMOS SRAM
    写周期时序波形（ 1 ）
    （ OE =时钟）
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    OE
    t
    CW(3)
    CS
    t
    AS(4)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    高-Z
    t
    OHZ(6)
    数据输出
    High-Z(8)
    有效数据
    t
    DH
    t
    WP(2)
    t
    WR(5)
    写周期时序波形（ 2 ）
    （ OE =低固定）
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    t
    CW(3)
    CS
    t
    AS(4)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    高-Z
    t
    WHZ(6)
    数据输出
    High-Z(8)
    有效数据
    t
    OW
    (10)
    (9)
    t
    WR(5)
    t
    WP1(2)
    t
    DH
    -6-
    修订版4.0
    2001年9月

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