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K6R1008V1C-TI15 参数 Datasheet PDF下载

K6R1008V1C-TI15图片预览
型号: K6R1008V1C-TI15
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内容描述: 128Kx8位高速CMOS静态RAM ( 3.3V工作) 。 [128Kx8 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating).]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 138 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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初步
P
K6R1008V1C -C / C -L , K6R1008V1C -I / C -P
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ,V
CC
= 3.3 ±0.3V ,除非另有说明。 )
测试条件*
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
*
在A
波夫试验条件也适用于工业温度范围。
价值
0V至3V
3ns
1.5V
见下文
CMOS SRAM
输出负载( A)
输出负载( B)
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
&放大器;牛逼
OHZ
R
L
= 50Ω
+3.3V
D
OUT
V
L
= 1.5V
Z
O
= 50Ω
30pF*
D
OUT
319Ω
353
5pF*
*容性负载包含的所有组件
测试环境。
*包括范围和夹具电容
读周期*
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片选择到功率停机
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
PU
t
PD
K6R1008V1C-10
10
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
10
10
5
-
-
5
5
-
-
10
K6R1008V1C-12
12
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
12
12
6
-
-
6
6
-
-
12
K6R1008V1C-15
15
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
15
15
7
-
-
7
7
-
-
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在工业级温度范围。
-4-
修订版4.0
2001年9月