K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭
产品列表
商用产品温度（ 0 〜 70 ° C）
部件名称
K6T2008V2A-TB70
K6T2008V2A-TB85
K6T2008U2A-TB70
K6T2008U2A-TB85
K6T2008U2A-TB10
K6T2008V2A-YB70
K6T2008V2A-YB85
K6T2008U2A-YB70
K6T2008U2A-YB85
K6T2008U2A-YB10
功能
32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL
32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL
32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL
32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL
32 TSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL
32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL
32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL
32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL
32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL
32 sTSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL
CMOS SRAM
工业产品温度（ -40〜 85°C ）
部件名称
功能
32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL
32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL
32 TSOP1 -F ，为100ns ， 3.3V ， LL
32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL
32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL
32 TSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL
32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL
32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL
32 sTSOP1 -F ，为100ns ， 3.3V ， LL
32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL
32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL
32 sTSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL
48 - FBGA ，为70ns ， 3.3V ， LL
48 - FBGA ， 85ns ， 3.3V ， LL
48 - FBGA ，为70ns ， 3.0V ， LL
48 - FBGA ， 85ns ， 3.0V ， LL
K6T2008V2A-TF70
K6T2008V2A-TF85
K6T2008V2A-TF10
K6T2008U2A-TF70
K6T2008U2A-TF85
K6T2008U2A-TF10
K6T2008V2A-YF70
K6T2008V2A-YF85
K6T2008V2A-YF10
K6T2008U2A-YF70
K6T2008U2A-YF85
K6T2008U2A-YF10
K6T2008V2A-FF70
K6T2008V2A-FF85
K6T2008U2A-FF70
K6T2008U2A-FF85
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5到V
CC
+0.5
-0.3〜 4.6
1.0
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
K6T2008V2A -B ， K6T2008U2A -B
K6T2008V2A -F ， K6T2008U2A -F
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
修订版2.01
2001年10月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
