K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4〜 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
C
L
1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
（ K6T2008V2A系列： V
CC
= 3.0 〜 3.6V ， K6T2008U2A系列： V
CC
=2.7~3.3V
商业产品：T已
A
= 0 〜70 ° C，工业产品：T已
A
= -40〜 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
70ns
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO1
, t
CO2
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
民
85
-
-
-
10
5
0
0
15
85
70
0
70
60
0
0
35
0
5
85ns
最大
-
85
85
40
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
100ns
民
100
-
-
-
10
5
0
0
15
100
80
0
80
70
0
0
40
0
5
最大
-
100
100
50
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
VCC = 3.0V ， CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
看到数据保存波形
测试条件
民
2.0
-
0
5
典型值
-
0.2
-
-
最大
3.6
10
2)
-
-
单位
V
µA
ms
1. CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V(CS
1
控制）或CS
2
≤0.2V(CS
2
控制）
2.工业PROD
UCTS = 15
µA
修订版2.01
2001年10月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
