K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
产品
K6T2008V2A家庭
K6T2008U2A家庭
所有的家庭
K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭
K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭
民
3.0
2.7
0
2.2
-0.3
3)
CMOS SRAM
典型值
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
3.3
0
Vcc+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0 〜70℃ ，特别说明
工业全国生产吨：T已
A
= -40〜 85 ℃，特别说明
2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 2.0V
3.冲： -2.0V的情况下脉冲width≤30ns的
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
1. K6T2008V2A家庭= 35毫安
2.工业产品= 15μA
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
最小典型最大单位
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
0.2
1
1
5
4
30
1)
0.4
-
0.3
10
2)
µA
µA
mA
mA
mA
V
V
mA
µA
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH
， CS
2
=V
IL
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V,
其他输入= 0 〜 Vcc的
修订版2.01
2001年10月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
