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K7A203600B-QC14 参数 Datasheet PDF下载

K7A203600B-QC14图片预览
型号: K7A203600B-QC14
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内容描述: 64Kx36 / X32同步SRAM [64Kx36/x32 Synchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器时钟
文件页数/大小: 16 页 / 358 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K7A203600B
K7A203200B
64Kx36 / X32同步SRAM
DC电气特性
(T
A
= 0至70℃ ,V
DD
=3.3V+0.3V/-0.165V)
参数
输入漏电流(除ZZ )
输出漏电流
工作电流
待机电流
符号
I
IL
I
OL
I
CC
测试条件
V
DD
= MAX; V
IN
=V
SS
到V
DD
输出禁用,V
OUT
=V
SS
到V
DDQ
设备选择,我
OUT
= 0毫安, ZZ≤V
IL
,
所有输入= V
IL
或V
IH
,周期时间
≥cyc
设备选中,我
OUT
=0mA,ZZ≤V
IL
,
F =最大,所有Inputs≤0.2V或
V
DD
-0.2V
设备选中,我
OUT
= 0毫安, ZZ≤0.2V ,
F = 0时,所有输入=固定(V
DD
-0.2V或0.2V )
设备选中,我
OUT
= 0毫安, ZZ≤V
DD
-0.2V,
F =最大,所有Inputs≤V
IL
or
≥V
IH
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 1.0毫安
I
OH
= -1.0mA
-14
-2
-2
-
最大
+2
+2
250
单位
µA
µA
mA
I
SB
待机电流
I
SB1
I
SB2
输出低电压( 3.3V I / O)
输出高电压( 3.3V I / O)
输出低电压( 2.5V I / O)
输出高电压( 2.5V I / O)
输入低电压( 3.3V I / O)
输入高电压( 3.3V I / O)
输入低电压( 2.5V I / O)
输入高电压( 2.5V I / O)
V
OL
V
OH
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
-14
-
-
-
-
2.4
-
2.0
-0.5*
2.0
-0.3*
1.7
130
80
50
0.4
-
0.4
-
0.8
V
DD
+0.3**
0.7
V
DD
+0.3**
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
以上参数也保证在工业级温度范围。
* V
IL
(最小值) = - 2.0 (脉宽
t
CYC
/
2)
** V
IH
(最大) = 4.6 (脉冲宽度
t
CYC
/
2)
**在I / O引脚的案例,马克斯。 V
IH
=V
DDQ
+0.3V
测试条件
(V
DD
=3.3V+0.3V/-0.165V,V
DDQ
= 3.3V + 0.3 / -0.165V或V
DD
=3.3V+0.3V/-0.165V,V
DDQ
= 2.5V + 0.4V / -0.125V ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
输入脉冲电平( 3.3V I / O)
输入脉冲电平( 2.5V I / O)
输入上升和下降时间(测得0.3V和2.7V的3.3VI / O)
输入上升和下降时间(测得0.3V和2.1V的2.5VI / O)
输入和输出时序参考电平为3.3V的I / O
输入和输出时序参考电平为2.5VI / O
输出负载
*以上参数也保证在工业级温度范围。
价值
0至3V
0至2.5V
1ns
1ns
1.5V
V
DDQ
/2
参见图。 1
-8-
2003年11月
修订版2.0