K7A203600B
K7A203200B
绝对最大额定值*
参数
在V电压
DD
供应相对于V
SS
在V电压
DDQ
供应相对于V
SS
在输入引脚相对于V电压
SS
在I / O引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
工作温度
下偏置存储温度范围
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产业
64Kx36 / X32同步SRAM
符号
V
DD
V
DDQ
V
IN
V
IO
P
D
T
英镑
T
OPR
T
OPR
T
BIAS
等级
-0.3〜 4.6
V
DD
-0.3到V
DD
+0.3
-0.3到V
DDQ
+0.3
2.2
-65到150
0到70
-40到85
-10到85
单位
V
V
V
V
W
°C
°C
°C
°C
*注意：
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个额定值
并且该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作条件在3.3V的I / O
（ 0 ° C≤牛逼
A
≤70°C)
参数
电源电压
地
符号
V
DD
V
DDQ
V
SS
民
3.135
3.135
0
典型值。
3.3
3.3
0
最大
3.6
3.6
0
单位
V
V
V
*以上参数也保证在工业级温度范围。
工作条件在2.5V的I / O
(0°C
≤
T
A
≤
70°C)
参数
电源电压
地
符号
V
DD
V
DDQ
V
SS
民
3.135
2.375
0
典型值。
3.3
2.5
0
最大
3.6
2.9
0
单位
V
V
V
*以上参数也保证在工业级温度范围。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容
输出电容
*注意：
取样未经100％测试。
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
=0V
V
OUT
=0V
典型值
-
-
最大
4
6
单位
pF
pF
-7-
2003年11月
修订版2.0
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
