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K7A203600B-QC14 参数 Datasheet PDF下载

K7A203600B-QC14图片预览
型号: K7A203600B-QC14
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内容描述: 64Kx36 / X32同步SRAM [64Kx36/x32 Synchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器时钟
文件页数/大小: 16 页 / 358 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K7A203600B
K7A203200B
引脚配置
( TOP VIEW )
64Kx36 / X32同步SRAM
ADSC
WEB
WEA
WEC
ADSP
世界环境日
CS
2
ADV
83
CLK
CS
1
CS
2
V
DD
GW
V
SS
BW
OE
A
6
A
7
A
8
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
81
A
9
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
V
DD
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
A
10
A
12
A
13
A
14
LBO
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A
15
引脚名称
符号
A
0
- A
15
引脚名称
地址输入
TQFP PIN NO 。
符号
VDD
VSS
北卡罗来纳州
引脚名称
电源( + 3.3V )
无连接
TQFP PIN NO 。
15,41,65,91
17,40,67,90
14,16,38,39,42,43,50,66
52,53,56,57,58,59,62,63
68,69,72,73,74,75,78,79
2,3,6,7,8,9,12,13
18,19,22,23,24,25,28,29
51,80,1,30
32,33,34,35,36,37
44,45,46,47,48,49
81,82,99,100
83
突发地址进展
地址状态处理器84
地址状态控制器85
89
时钟
98
芯片选择
97
芯片选择
92
芯片选择
93,94,95,96
字节写输入
OUTPUT ENABLE
全局写使能
字节写使能
掉电输入
突发模式控制
86
88
87
64
31
ADV
ADSP
ADSC
CLK
CS
1
CS
2
CS
2
WEX
(X = A,B, C,D)
OE
GW
BW
ZZ
LBO
DQa0 〜 A7的数据输入/输出
DQb0~b7
DQc0~c7
DQd0~d7
DQPa 〜钯
/ NC
VDDQ
VSSQ
输出电源
( 2.5V或3.3V )
输出地
北卡罗来纳州
A
11
50
DQPc / NC
DQC
0
DQC
1
V
DDQ
V
SSQ
DQC
2
DQC
3
DQC
4
DQC
5
V
SSQ
V
DDQ
DQC
6
DQC
7
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
V
SS
DQD
0
DQD
1
V
DDQ
V
SSQ
DQD
2
DQD
3
DQD
4
DQD
5
V
SSQ
V
DDQ
DQD
6
DQD
7
DQPd / NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100引脚TQFP
( 20毫米X 14毫米)
K7A203600B(64Kx36)
K7A203200B(64Kx32)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb / NC
DQB
7
DQB
6
V
DDQ
V
SSQ
DQB
5
DQB
4
DQB
3
DQB
2
V
SSQ
V
DDQ
DQB
1
DQB
0
V
SS
北卡罗来纳州
V
DD
ZZ
DQA
7
DQA
6
V
DDQ
V
SSQ
DQA
5
DQA
4
DQA
3
DQA
2
V
SSQ
V
DDQ
DQA
1
DQA
0
DQPa / NC
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
-4-
2003年11月
修订版2.0