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K9F5608U0C-PCB0 参数 Datasheet PDF下载

K9F5608U0C-PCB0图片预览
型号: K9F5608U0C-PCB0
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内容描述: 512MB / 256MB 1.8V NAND闪存勘误表 [512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 39 页 / 654 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
产品介绍
该K9F56XXX0C是528 ( X8设备)或264 ( X16设备)组织为65,536行(页)一个264Mbit ( 276824064位)内存
列。备用八列分别位于512 〜 527 ( X8设备)或256 〜 263 ( X16设备)的列地址。 528字节( X8
设备)或264个字( X16的装置)的数据寄存器被连接到存储器单元阵列容纳我之间的数据传输/输出
页中缓冲器和存储器读取和页编程operations.The存储器阵列由16个单元是串联CON-的
已连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。一个块由两个NAND结构。与非门
结构由16个细胞组成。总16896 NAND单元驻留在一个块中。阵列组织如图2-1,2-2 。亲
克和读操作都在一个页面基础上执行的,而擦除操作以块为基础执行。在存储器阵列
由2048分别可擦除16K字节( X8设备)或8K字( X16器件)模块。这表明,点点滴滴的擦除操作
值,我们禁止在K9F56XXX0C 。
该K9F56XXX0C已地址复用为8个I / O ( X16设备情况:低8个I / O ) 。 K9F5616X0C允许16位宽的数据
运进和流出的页面寄存器。该方案极大地减少引脚数,同时提供高性能和可
通过保持系统板设计的一致性的系统升级到未来的密度。命令,地址和数据都被写入
通过I / O的通过将WE低,而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能( CLE )和
地址锁存使能( ALE )用于复分别命令和地址,通过I / O引脚。某些命令需要一个
总线周期。例如,复位命令,读命令,状态读取命令,等需要的只是一个周期的总线。其他一些的COM
像页编程和复制回计划和块擦除mands ,需要两个周期:一个周期用于设置和其他周期
执行。的32M字节(X8设备)或16M字( X16设备)物理空间要求24的地址,因此需要三个周期
对于词级寻址:列地址,低行地址和高的行地址,按照该顺序。页面读取和页编程
需要同样的三个地址周期下所需要的指令输入。在块擦除操作,但是,只有两排
地址周期被使用。设备操作都通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义
该K9F56XXX0C的特定命令。
该装置包括一个块大小的OTP(一次性可编程),它可用来提高系统的安全性,或提供
识别能力。详细信息可以通过与三星接触得到。
表1.命令集
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
复制回收计划
LOCK
开锁
锁定紧
读取块锁定状态
块擦除
阅读状态
1日。周期
00h/01h
(1)
50h
90h
FFH
80h
00h
2Ah
23h
2Ch
7Ah
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
10h
8Ah
-
24h
-
-
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
1. 01H命令只能在X8设备( K9F5608X0C ) 。
小心
:任何未定义的命令输入被禁止的,除了表1中的上述命令集。
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