K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
AC时序特性对于命令/地址/数据输入
参数
CLE建立时间
CLE保持时间
CE建立时间
CE保持时间
WE脉冲宽度
ALE建立时间
ALE保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写周期时间
WE高保持时间
符号
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WC
t
WH
民
0
10
0
10
25
(1)
0
10
20
10
45
15
最大
-
-
.-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
:
1.如果TCS被设置为小于10ns的， TWP必须是最小为35ns ，否则，雷公藤多甙可能是最小为25ns 。
交流特性进行操作
参数
从单元传送数据到寄存器
ALE到RE延迟
CLE到RE延迟
准备再低
RE脉冲宽度
WE高到忙
读周期时间
CE访问时间
RE访问时间
RE高到输出高阻
CE高到输出高阻
RE或CE高到输出保持
稀土高保持时间
输出高阻到RE低
WE高到RE低
WE高到RE座Lcok模式低
设备重置时间
（读/编程/擦除）
最后RE高到忙（在顺序读取）
K9F5608U0C-
Y， V， P，F只
CE高到准备（如果拦截行政长官在读）
CE高保持时间（在最后的串行读）
(2)
符号
t
R
t
AR
t
CLR
t
RR
t
RP
t
WB
t
RC
t
CEA
t
REA
t
RHZ
t
CHZ
t
OH
t
REH
t
IR
t
WHR1
t
WHR2
t
RST
t
RB
t
CRY
t
CEH
民
-
10
10
20
25
-
50
-
-
-
-
15
15
0
60
100
-
-
-
100
最大
10
-
-
-
-
100
-
45
30
30
20
-
-
-
-
-
5/10/500
(1)
100
50 +微量（R / B）的
(3)
-
单位
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
ns
ns
ns
记
:
1.如果复位指令（ FFH ）写在就绪状态下，设备将进入繁忙的最大5us的。
2.要打破顺序读周期， CE必须保持较高的时间长于tCEH 。
3.时间来准备取决于上拉电阻连接的R / B引脚的值。
12
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