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KM29W040AT 参数 Datasheet PDF下载

KM29W040AT图片预览

型号：	KM29W040AT
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内容描述：	512K ×8位NAND闪存 [512K x 8 bit NAND Flash Memory]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	22 页 / 359 K
品牌：	SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]

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KM29W040AT ， KM29W040AIT

KM29W040A技术说明（续）

在编程或擦除操作错误

FL灰内存

一个程序中的设备可能会失败或擦除操作。

实现一个高度可靠的系统，当满足下列可能的故障模式应该被考虑。

失效模式

块

FRAME

单位

清除故障

程序故障

程序故障

（ "1" --> "0" ）

检测及对策序列

阅读更换擦除-->座后

更换计划-->座后状态读

更换计划-->块之后的块校验

替换块

在编程操作;

卜FF器

内存

发生错误

当错误"A"座，可尝试重新编程

数据到另一个块"B"通过从外部重装

A座

缓冲区。随后，防止进一步的系统访问以阻止

"A" （通过创建"bad block"表或其他适当的

方案）。

B座

在擦除操作;

当错误的擦除操作后发生，防止将来这个坏块访问

（再次由系统或其他适当的方案中创建表）。

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