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KM29W040AT 参数 Datasheet PDF下载

KM29W040AT图片预览
型号: KM29W040AT
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内容描述: 512K ×8位NAND闪存 [512K x 8 bit NAND Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 22 页 / 359 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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KM29W040AT , KM29W040AIT
AC时序特性对于命令/地址/数据输入
参数
CLE建立时间
CLE保持时间
CE建立时间
CE保持时间
WE脉冲宽度
ALE建立时间
ALE保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写周期时间
WE高保持时间
符号
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WC
t
WH
50
50
50
50
60
50
50
40
20
120
40
FL灰内存
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交流特性进行操作
参数
从单元传送数据到寄存器
ALE到RE延迟
CE低到低RE (ID读)
准备再低
RE脉冲宽度
WE高到忙
读周期时间
RE访问时间
RE高到输出高阻
CE高到输出高阻
稀土高保持时间
输出高阻到RE低
CE高到准备(如果拦截行政长官在读)
(1)
RE低到状态输出
CE低到状态输出
WE高到RE低
RE存取时间(读取ID )
设备重置时间
(读/编程/擦除)
符号
t
R
t
AR
t
CR
t
RR
t
RP
t
WB
t
RC
t
REA
t
RHZ
t
CHZ
t
REH
t
IR
t
CRY
t
RSTO
t
集体安全条约组织
t
WHR
t
WHRID
t
RST
-
250
250
100
60
-
120
-
0
-
40
0
-
-
-
50
100
-
最大
15
-
-
-
-
200
-
50
30
50
-
-
100+tr(R/B)
(2)
60
70
-
-
5/10/500
单位
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
1.如果CE为高电平为50ns内的第三个地址输入后,R / B将不会返回到V
OL
.
2.时间来准备取决于上拉电阻连接的R / B引脚的值。
8