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KM29W040AT 参数 Datasheet PDF下载

KM29W040AT图片预览
型号: KM29W040AT
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内容描述: 512K ×8位NAND闪存 [512K x 8 bit NAND Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 22 页 / 359 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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KM29W040AT , KM29W040AIT
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在偏置温度
储存温度
短路输出电流
KM29W040AT
KM29W040AIT
T
英镑
I
OS
符号
V
IN
T
BIAS
等级
-0.6到+7.0
-10到+125
-40到+125
-65到+150
5
FL灰内存
单位
V
°C
°C
mA
:
1.最小直流电压为-0.3V输入/输出引脚。在转换过程中,这个水平可能下冲至-2.0V的时期<20ns 。
在输入/输出引脚的最大直流电压为V
CC
+ 0.3V其中,在转换过程中,可能会过冲至V
CC
+ 2.0V的时间和LT ;为20ns 。
如果绝对最大额定值被超过,可能会出现2永久性设备损坏。功能操作应限制的条件
详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
推荐工作条件
(电压参考GND , KM29W040AT
:
T
A
= 0至70℃ , KM29W040AIT
:
T
A
= -40〜 85 ℃)下
参数
电源电压
电源电压
符号
V
CC
V
SS
3.0
0
典型值。
-
0
最大
5.5
0
单位
V
V
DC和工作特性
(推荐工作条件另有说明。 )
参数
突发读周期
能操作
阿婷
当前
节目
抹去
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OL
(R / B)的
I
OH
=-400µA
I
OL
=2.1mA
V
OL
=0.4V
测试条件
tcycle=120ns,CE=V
IL
, I
OUT
=0mA
-
-
CE = V
IH
, WP = 0V / V
CC
CE = V
CC
-0.2 , WP = 0V / V
CC
V
IN
= 0至5.5V
V
OUT
= 0至5.5V
-
-
VCC = 3.0V 〜 3.6V
-
-
-
-
-
-
-
2.4
-0.3
2.4
-
8
典型值
5
5
5
-
10
-
-
-
-
-
-
10
最大
10
10
10
1
50
±10
±10
V
CC
+
0.3
0.6
-
0.4
-
VCC = 3.6V 〜 5.5V
-
-
-
-
-
-
-
2.4
-0.3
2.4
-
8
典型值
10
10
10
-
10
-
-
-
-
-
-
10
最大
20
20
20
1
50
±10
±10
V
CC
+
0.5
0.8
-
0.4
-
mA
V
µA
mA
单位
待机电流( TTL )
待机电流( CMOS )
输入漏电流
输出漏电流
输入高电压,所有
输入
输入低电压,所有输入
输出高电压电平
输出低电压电平
输出低电流( R / B)
6