欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HFP10N60S 参数 Datasheet PDF下载

HFP10N60S图片预览
型号: HFP10N60S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 860 K
品牌: SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
 浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第8页  
HFP10N60S
电气特性
T
C
=25
°C
符号
参数
除非另有说明
测试条件
典型值
最大
单位
基本特征
V
GS
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
V
GS
= 10 V,I
D
= 4.75 A
2.0
--
--
0.67
4.0
0.8
V
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
I
D
= 250
㎂,
参考25 ℃
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ,T
C
= 125℃
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
600
--
--
--
--
--
--
0.7
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/℃
ΔBV
DSS
击穿电压温度
系数
/ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,
前锋
门体漏电流,
反向
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
1450
145
13
1885
190
17
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
开启时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(注4,5 )
V
DS
= 300 V,I
D
= 9.5 A,
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
23
69
144
77
29
6.8
10.3
55
150
300
165
38
--
--
nC
nC
nC
V
DS
= 480V ,我
D
= 9.5 A,
V
GS
= 10 V
(注4,5 )
源极 - 漏极二极管的最大额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
连续源极 - 漏极二极管的正向电流
脉冲源极 - 漏极二极管的正向电流
源极 - 漏极二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
= 9.5 A,V
GS
= 0 V
I
S
= 9.5 A,V
GS
= 0 V
di
F
/ DT = 100 A / μs的
(注4 )
--
--
--
--
--
--
--
--
420
4.2
9.5
38
1.4
--
--
A
V
μC
注意事项;
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 14.2mH ,我
AS
= 9.5A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25°C
3. I
SD
≤9.5A ,二/ dt≤200A / μs的,V
DD
ΔBV
DSS
,起始物为
J
=25
°C
4.脉冲测试:脉冲宽度
≤ 300μS ,占空比≤ 2 %
5.基本上是独立工作温度
SEMIHOW REV.A0 , 2007年11月