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    HFP10N60S 参数 Datasheet PDF下载

    HFP10N60S图片预览
    型号： HFP10N60S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 860 K
    品牌： SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
     浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HFP10N60S的Datasheet PDF文件第8页  
    HFP10N60S
    典型特征
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    图1.地区特点
    图2.传输特性
    2.0
    R
    DS （ ON）
    [Ω],
    漏源导通电阻
    1.5
    V
    GS
    = 10V
    1.0
    V
    GS
    = 20V
    0.5
    *注：t
    J
    = 25
    o
    C
    0.0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    I
    DR
    ，反向漏电流[ A]
    V
    SD
    ，源极 - 漏极电压[ V]
    图3.导通电阻变化VS
    漏电流和栅极电压
    3000
    C
    国际空间站
    = C
    gs
    + C
    gd
    (C
    ds
    =短路）
    C
    OSS
    = C
    ds
    + C
    gd
    C
    RSS
    = C
    gd
    图4.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度
    12
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    2500
    C
    国际空间站
    10
    V
    DS
    = 120V
    V
    DS
    = 300V
    V
    DS
    = 480V
    电容[ pF的]
    2000
    8
    1500
    C
    OSS
    ∗
    注意;
    1. V
    GS
    = 0 V
    2. F = 1 MHz的
    6
    1000
    4
    C
    RSS
    500
    2
    *注：我
    D
    = 9.5A
    0
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    24
    28
    32
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    Q
    G
    ，总栅极电荷[ NC ]
    图5.电容特性
    图6.栅极电荷特性
    ◎
    SEMIHOW REV.A0 ， 2007年11月

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