飞思卡尔
AOD4 10 / 10 MCD4
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
A
o
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
范围
单位
最小典型最大
1
2.3
±100
o
V
nA
uA
A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
1
25
34
59
88
22
1.1
2.2
0.5
0.8
720
165
60
16
5
23
3
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 12 A
I
S
= 24 A，V
GS
= 0 V
mΩ
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
= 1MHz的
f
nC
pF
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25
Ω
, I
D
= 24 A,
V
根
= 10 V
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
飞思卡尔
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损害赔偿。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔的产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
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2
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