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MCD410 参数 Datasheet PDF下载

MCD410图片预览
型号: MCD410
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内容描述: N通道30 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 400 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AOD4 10 / 10 MCD4
典型电气特性( N沟道)
100
正,反转漏电流( A)
VGS = 0V
0.1
I
D
= 5.3A
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
室间隔缺损,体二极管正向电压( V)
TA = 125℃
o
R
S N )
,哦-R S T否E (O M
否E是C
H )
ð (O
0.08
25 C
o
0.06
0.04
T
A
= 25
o
C
0.02
0
2
4
6
8
10
V
GS
,门源电压( V)
图7.传热特性
2.2
-Vth ,栅源THRESTHOLD
电压(V)的
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
-50
-25
0
25
50
75
100
o
图8.导通电阻与栅极至源极电压
VDS = VGS
ID = 250毫安
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
50
40
30
20
10
0
0.001
单脉冲
R
θ
JA = 125
o
C / W
TA = 25
o
C
125
150
175
0.01
0.1
1
t1时,时间(秒)
10
100
TA ,环境温度( C)
图9. Vth的栅极至源极电压与温度
图10.单脉冲最大功率耗散
归热瞬态结到环境
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.0
0.02
0.01
0.01
S英格尔P ULS ê
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1 , TIM E(发E C)
1
10
100
1000
P (P K)
t1
t2
T
J
- T
A
= P * RQ Ĵ
A( T)
占空比D = T1 / T2
RQ Ĵ
A
( T) = R(T ) + RQ J A
RQ J A = 1 2 5
o
C / W
图11.瞬态热响应曲线
4
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