Si102x/3x
18.闪存
片上，再编程闪存存储器，用于程序代码和非易失性数据存储。该
快闪记忆体可在系统编程，一个字节的时间，通过C2接口或软
使用器皿的MOVX写指令。一旦被清0 ，一转眼位必须被擦除才能再回到
逻辑1字节闪存通常被重新编程之前被擦除（置为0xFF ） 。写入和
擦除操作由硬件为正确执行自动计时;数据查询来判断
不是必需的写入/擦除操作的结束。在闪存写入程序停止执行/擦除操作
系统蒸发散。请参考表4.8给出了FLASH存储器的电气特性。
18.1 。编程闪存
编程闪存的最简单的方法就是通过使用C2接口编程
由Silicon Labs公司或第三方供应商提供的工具。这是用于编程的唯一手段
非初始化设备。有关C2命令的详细信息，以闪存程序存储器，见“ 35 。 C2
Flash存储器可以通过软件使用的地址MOVX指令进行编程和
数据字节被编程设置为正常的操作数。编程闪存使用前
（ 1 ）设置PSWE程序存储写入： MOVX ，闪存编程操作必须通过启用
使能位（ PSCTL.0 ）为逻辑1（这在MOVX操作指向目标FLASH存储器） ; （2 ）编写
闪烁顺序的键码的FLASH锁定寄存器（ FLKEY ） 。在PSWE位保持状态直到被清除
软件。有关编程的闪存，从固件的详细指南，请参见“ 18.5 。闪光
为了保证FLASH内容的完整性，片上VDD监视器必须启用和启用为
在包括代码写入和/或软件删除闪存中的任何系统的复位源。进一
thermore ，应该使在V之间没有延迟
DD
监视和使在V
DD
监视器作为
复位源。任何试图写或擦除闪存，而V
DD
监控被禁用，或者没有启用
作为复位源，会导致FLASH错误器件复位。
18.1.1 。 FLASH锁定和关键功能
闪存写入和用户软件擦除保护了锁和钥匙的功能。 FLASH锁定和
关键寄存器（ FLKEY ）写入正确的关键码顺序， FLASH操作之前，
可被执行。关键代码如下： 0xA5的，的0xf1 。时机并不重要，但是代码必须
的顺序写入。如果密钥代码写出来的顺序，或错误的代码，FLASH写和
擦除操作将被禁止，直到下一次系统复位。 FLASH写和擦除也将如果禁用闪光灯
写或擦除尝试的关键代码已被正确写入之前。之后，闪光锁重置
每次写或擦除;关键代码必须重新写了下面的Flash操作之前可以per-
形成的。该FLKEY寄存器的详细SFR定义18.4 。
18.1.2 。闪存擦除程序
闪存存储器被组织在1024字节的页。擦除操作将应用到整个页面（设置
在页面中为0xFF的所有字节） 。擦除一个1024字节的页，请执行以下步骤：
1.保存当前中断状态并禁止中断。
2.将PSEE位（寄存器PSCTL ） 。
3.设置PSWE位（寄存器PSCTL ） 。
4.如果要写入在银行1 ，2或3中的地址，设定COBANK [1 ：0]位（寄存器PSBANK ）为
合适的银行。
5.写第一个关键码FLKEY ： 0xA5的。
6.写第二个关键码FLKEY ：的0xf1 。
7.用MOVX指令写入一个数据字节到1024字节的页内的任何位置被删除。
8.清除PSWE和PSEE位。
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修订版0.3
SILABS [ SILICON LABORATORIES ]
