Si102x/3x
18.1.4 。闪存写入优化
Flash写程序包括一个块写入选项以优化时间来执行连续的字节
写道。当块写入是通过设置CHBLKW位（ FLRBCN.0 ）启用，写入闪存将出现
的4个字节的块，并且需要的时间作为一个单一字节写入相同的量。这是由缓存进行
为地址端00B ， 01B ，和10b被写入到闪存，然后提交所有四个字节的字节
当用地址11b中的一个字节被写入到闪存。当启用了块写入，如果写入的字节
与地址11b中不会发生，写入其他三个数据字节未被委托闪烁。
写FLASH存储器可以清除数据位，但不能将它们设置;只有擦除操作可以设置位
在Flash中的逻辑1 。
Flash模块进行编程，必须先擦除前一个新值令状
10 。
写一个四字节的闪存块的建议过程如下：
1.保存当前中断状态并禁止中断。
2.将CHBLKW位（寄存器FLRBCN ） 。
3.设置PSWE位（寄存器PSCTL ） 。
4.清除PSEE位（寄存器PSCTL ） 。
5.如果要写入在银行1 ，2或3中的地址，设定COBANK [1 ：0]位（寄存器PSBANK ）为
适当的银行
6.写第一个关键码FLKEY ： 0xA5的。
7.写第二个关键码FLKEY ：的0xf1 。
8.使用MOVX指令，写的1024字节中的第一个数据字节到期望的位置
部门的地址00B结束。
9.写第一个关键码FLKEY ： 0xA5的。
10.写第二个关键码FLKEY ：的0xf1 。
11.用MOVX指令，写第二个数据字节到下一个更高的flash地址尾数
01b.
12.写第一个关键码FLKEY ： 0xA5的。
13.写第二个关键码FLKEY ：的0xf1 。
14.用MOVX指令，写第三个数据字节到10B结束下一个更高的flash地址。
15.写第一个关键码FLKEY ： 0xA5的。
16.写第二个关键码FLKEY ：的0xf1 。
17.用MOVX指令，写的最后的数据字节到11B结束下一个更高的flash地址。
18.清除PSWE位。
19.清除CHBLKW位。
20.恢复以前的中断状态。
步骤5-17必须重复写入每个闪存块。
注意事项：
1.
闪光的安全设置可以防止写入的闪速某些领域，例如作为保留区域。供的摘要
闪存安全设置和影响闪存的写操作限制，请参见“ 18.3 。安全
2.
8位MOVX指令不能用于擦除或写入到Flash内存地址比0x00FF高。
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修订版0.3
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