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    U635H64 参数 Datasheet PDF下载

    U635H64图片预览
    型号： U635H64
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PowerStore 8K ×8的nvSRAM [PowerStore 8K x 8 nvSRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 14 页 / 139 K
    品牌： SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
     浏览型号U635H64的Datasheet PDF文件第6页浏览型号U635H64的Datasheet PDF文件第7页浏览型号U635H64的Datasheet PDF文件第8页浏览型号U635H64的Datasheet PDF文件第9页浏览型号U635H64的Datasheet PDF文件第10页浏览型号U635H64的Datasheet PDF文件第12页浏览型号U635H64的Datasheet PDF文件第13页浏览型号U635H64的Datasheet PDF文件第14页  
    U635H64
    设备操作
    该U635H64具有两个单独的操作模式：
    SRAM模式和非易失性模式。在SRAM模式，
    内存作为一个标准的快速静态RAM 。在
    不消失模式，数据从SRAM中转移到
    EEPROM （存储操作），或者从EEPROM中
    SRAM （调用操作） 。在这种模式下的SRAM
    功能被禁止。
    STORE周期可能在用户控制下通过启动
    软件序列也将自动启动
    当芯片的电源电压电平下降
    低于V
    开关
    。 RECALL操作都是自动
    在上电时启动，可能还时出现V
    CC
    上升超过V
    开关
    经过一个低功耗状态。
    RECALL周期，也可以通过软件启动
    序列。
    SRAM读
    非易失性软件商店
    该U635H64执行一个读周期时E和
    G为低和W HIGH 。地址指定的
    引脚A0 - A12决定了的8192个字节的数据
    将被访问。当读取由开始
    地址转换，输出将是一个延迟后有效
    的t
    cR
    。如果读取用E或G发起，输出将
    是在t有效
    一（ E）
    或者在t
    一（ G）
    ，以较迟者为准。数据
    输出将反复响应地址变更
    内的T
    cR
    无需转换的存取时间
    在任何控制输入引脚，并且将一直有效，直到
    另一个地址变更，或直到E或G被带到
    高或W变为低电平。
    SRAM写
    写周期完成时E和W分别
    低。地址输入之前必须是稳定的
    进入写周期，必须保持稳定，直到
    东或者西变为高电平的周期的末尾。该
    引脚DQ0数据 - 7将被写入，如果它的记忆
    有效吨
    SU（ D）
    在W控制的写在年底前或
    t
    SU（ D）
    一个E控制的写在年底前。
    所以建议G被所述烯过程中保持高
    轮胎写周期，以避免对数据总线争用
    通用I / O线。若G是左低，内部电路会
    关闭输出缓冲器吨
    DIS （ W）
    W¯¯后变低。
    自动STORE
    该U635H64使用的内在系统电容
    在执行掉电自动STORE 。只要
    作为系统的电源至少需要吨
    PDSTORE
    to
    从V衰变
    开关
    下降到3.6 V的U635H64会
    安全和自动存储在SRAM中的数据
    EEPROM的电源关闭。
    为了防止不必要的存储操作，自动
    该U635H64软件控制STORE周期
    由六个执行顺序读周期开始
    具体地址位置。依靠读周期
    只是，在U635H64实现非易失性操作
    同时保持与标准兼容的8K ×8
    的SRAM 。在商店周期，预的擦除
    vious非易失性数据被首先执行，然后是一
    所有非易失性元件的并行编程。一旦
    一条STORE周期开始，进一步的输入和输出
    被禁用，直到周期结束。
    因为地址的序列被用于商店
    开始时，重要的是，没有其他的READ或WRITE
    存取介入的序列或该序列中
    将被中止。
    启动存储周期以下READ
    序列必须执行：
    1.
    2.
    3.
    4.
    5.
    6.
    阅读地址
    阅读地址
    阅读地址
    阅读地址
    阅读地址
    阅读地址
    0000
    1555
    0AAA
    1FFF
    10F0
    0F0F
    （十六进制）
    （十六进制）
    （十六进制）
    （十六进制）
    （十六进制）
    （十六进制）
    有效的读
    有效的读
    有效的读
    有效的读
    有效的读
    发起STORE
    马蒂奇STORE将被忽略，除非至少有一个
    由于大多数WRITE操作已经发生
    最近存储或调用周期。软件启动
    是否商店周期无论执行
    不是写操作发生。
    自动召回
    上电时自动调出需要的地方。
    经过任何低功耗状态（V
    CC
    ＆ LT ; V
    开关
    ）一个跨
    最终调用请求会被锁存。当V
    CC
    一旦
    再次超过V的检测电压
    开关
    一个reque-
    STED RECALL周期将自动启动，
    将吨
    恢复
    来完成。
    如果U635H64处于写状态的结束
    开机记得， SRAM的数据将被破坏。
    为了避免这种情况，一个10 kΩ的电阻应为
    连接W和系统V之间
    CC
    .
    一旦该序列中的第六个地址已
    输入后， STORE周期将开始和芯片
    将被禁用。读取周期，这是很重要的
    不写周期的序列中使用，尽管它
    没有必要使G是低的顺序是
    有效的。之后的T
    商店
    周期已经满足，
    SRAM将再次进行读取和写入启动
    操作。
    2006年3月31日
    沙头角管制＃ ML0052
    11
    1.0版

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