U635H64 参数 Datasheet PDF下载

型号：	U635H64
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内容描述：	PowerStore 8K ×8的nvSRAM [PowerStore 8K x 8 nvSRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	14 页 / 139 K
品牌：	SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]

U635H64

软件非易失性召回

EEPROM数据的召回循环到SRAM

启动与读取操作的顺序

方式类似于STORE启动。要启动

RECALL周期读操作的顺序如下

业必须被执行：

阅读地址

0000

1555

0AAA

1FFF

10F0

0F0E

（十六进制）

有效的读

启动召回

硬件保护

该U635H64提供硬件保护，防止inad-

通过V vertent STORE操作

感。当

＆ LT ; V

开关

所有的软件控制STORE operati-

项将被禁止。

较低的平均有功功率

该U635H64已被设计为显著画

少当E为低（芯片使能），但功率

存取周期时间比55毫微秒更长的时间。

当E为高电平时，芯片仅消耗待机电流

租。

通过该部分得出的总平均电流取决于

对以下项目：

1. CMOS或TTL电平输入

2.时间在此期间，芯片被禁止（E高）

3.周期时间访问（E LOW ）

4的读写比

5.操作温度

6， V

水平

在内部，召回是一个两步的过程。首先，将

SRAM的数据被清除，并且第二非易失性

信息被传输到SRAM单元。该

在没有办法调用操作改变的数据

EEPROM单元。非易失性数据可被调用的

的次数不受限制。

这些信息描述了组件的类型，不得被视为保证的特点。条款

交付和权利，改变设计保留。

1.0版

沙头角管制＃ ML0052

2006年3月31日

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