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CXK581000ATM-55LL 参数 Datasheet PDF下载

CXK581000ATM-55LL图片预览
型号: CXK581000ATM-55LL
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内容描述: 131072字×8位高速CMOS静态RAM [131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 290 K
品牌: SONY [ SONY CORPORATION ]
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CXK581000ATM/AYM/AM/AP
引脚配置(顶视图)
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
V
CC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
引脚说明
OE
A10
CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
GND
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
符号
A0到A16
CE1 , CE2
WE
OE
VCC
GND
NC
描述
地址输入
芯片使能1 , 2输入
写使能输入
输出使能输入
电源
无连接
I / O1到I / O8数据输入输出
CXK581000ATM
(标准引脚)
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
NC
V
CC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
CXK581000AYM
(镜像引脚)
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CE1
A10
OE
GND
CXK581000AM
CXK581000AP
绝对最大额定值
电源电压
输入电压
输入和输出电压
允许功耗
工作温度
储存温度
焊接温度
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
TOPR
TSTG
Tsolder
CXK581000AP
CXK581000ATM/AYM/AM
( TA = 25℃ , GND = 0V )
等级
-0.5到+7.0
–0.5
到V
CC
+0.5
–0.5
到V
CC
+0.5
CXK581000AP
CXK581000ATM/AYM/AM
1.0
0.7
0至+70
-55到+150
260 • 10
235 • 10
W
°C
℃, •s的
单位
V
V
IN
,V
I / O
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
真值表
CE1
H
×
L
L
L
CE2
×
L
H
H
H
OE
×
×
H
L
×
WE
×
×
H
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
I / O引脚
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
CC
当前
I
SB1
, I
SB2
I
SB1
, I
SB2
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
I
CC1
, I
CC2
, I
CC3
×:
& QUOT ; H & QUOT ;或\u003e\u003e 1 & QUOT ;
DC推荐工作条件
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
2.2
–0.3
(大= 0至+ 70 ° C, GND = 0V )
典型值。
5.0
马克斯。
5.5
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
–2–