CXK5T16100TM
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65536-word
×
16位高速CMOS静态RAM
描述
该CXK5T16100TM高通用
高速CMOS静态RAM组织为65536-
字由16位。
特殊特征是低功耗和
高速。
该CXK5T16100TM是一个合适的RAM，用于便携
设备与备用电池。
特点
•
扩展工作温度范围： -25〜 + 85°C
•
宽电源电压范围内操作： 2.7〜 3.6V
•
快速存取时间：
3.0V操作
3.3V操作
（访问时间）
为120ns （最大值）。
为100ns （最大值）。
44引脚TSOP （ PIastic ）
初步
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
框图
A1
A0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A15
A14
GND
卜FF器
VCC
内存
矩阵
512
×
1024
ROW
解码器
内存
矩阵
512
×
1024
VCC
•
低功耗操作：
待机/ DC操作
1.6μW （典型值） / 3.3mW （典型值）。
100μW （最大值） / 11mW的（最大）
完全静态存储器...无时钟或定时选通
需要
平等机会和循环时间
常见的数据输入和输出：三态输出
直接LVTTL兼容：所有输入和输出
低电压数据保留： 2.0V （最小值）
400mil 44pin的TSOP （类型
II)
包
GND
•
•
•
•
•
•
CE
UB
LB
OE
WE
控制
I / O门
COLUMN
解码器
PRE
解码器
I / O门
COLUMN
解码器
A13
A12
A11
A10
A9
A8
I / O缓冲器
I / O缓冲器
卜FF器
I/O1
I/O8
I / O9 I / O16
功能
65536字×16位静态RAM
结构
硅栅CMOS IC
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
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PE96405-ST
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