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    S29GL128N90TFI020 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL128N90TFI020图片预览
    型号： S29GL128N90TFI020
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
    分类和应用： 闪存内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 100 页 / 2678 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL128N90TFI020的Datasheet PDF文件第74页浏览型号S29GL128N90TFI020的Datasheet PDF文件第75页浏览型号S29GL128N90TFI020的Datasheet PDF文件第76页浏览型号S29GL128N90TFI020的Datasheet PDF文件第77页浏览型号S29GL128N90TFI020的Datasheet PDF文件第79页浏览型号S29GL128N90TFI020的Datasheet PDF文件第80页浏览型号S29GL128N90TFI020的Datasheet PDF文件第81页浏览型号S29GL128N90TFI020的Datasheet PDF文件第82页  
    D a t a
    S h e e t
    Key to Switching Waveforms
    Waveform
    Inputs
    Steady
    Changing from H to L
    Changing from L to H
    Don’t Care, Any Change Permitted
    Does Not Apply
    Changing, State Unknown
    Center Line is High Impedance State (High Z)
    Outputs
    V
    IO
    0.0 V
    Input
    0.5 V
    IO
    Measurement Level
    0.5 V
    IO
    V
    Output
    Note:
    If V
    IO
    < V
    CC
    , the input measurement reference level is 0.5 V
    IO
    .
    Figure 10. Input Waveforms and
    Measurement Levels
    76
    S29GL-N MirrorBit™ Flash Family
    S29GL-N_00_B3 October 13, 2006

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