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S29GL128P11TFI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128P11TFI020图片预览
型号: S29GL128P11TFI020
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 71 页 / 1568 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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数据
( Advan CE
Infor的米TIO N )
8.1
锁定寄存器
由于出厂时,所有设备默认的持久模式通电时,所有部门
是不受保护的,除非通过DYB排序选项,否则选择(见
器件编程器或主机系统必须然后选择要使用哪个部门的保护方法。
编程(设置为“0” ),下面的两个一次性可编程,非易失性位中的任何一个锁定
部分长期在该模式下:
锁定寄存器持久保护模式锁定位( DQ1 )
锁定注册密码保护模式锁定位( DQ2 )
表8.1
锁定寄存器
DQ15-3
不在乎
DQ2
密码保护模式
LOCK位
DQ1
持久保护模式
LOCK位
DQ0
安全硅行业
保护位
对于编程锁定寄存器位参考
笔记
1.如果密码模式选择,密码必须在设置之前进行编程
相应的锁定寄存器位。
2.锁定寄存器位指令集进入命令序列后写入,读取和写入
为扇区0被禁止,而读取来自其他部门允许,直到退出此模式。
3.如果两个锁定位被选择为被编程(至零)的同时,操作中止。
4.一旦密码模式锁定位进行编程,持久性模式锁定位是永久
禁用,并没有改变保障计划是允许的。类似地,如果持久模式
锁定位进行编程,密码模式被永久停用。
选择一个扇区保护方法后,每个扇区可以用任何以下三种状态的操作:
1.
不断被锁定。
在选定行业的保护,不能被重新编程,除非PPB
锁位是通过密码,硬件复位或电源周期清零。
2.
动态锁定。
在选定行业的保护,并且可以通过软件来改变
命令。
3.
解锁。
该行业是不受保护的,并且可以被擦除和/或编程。
这些状态是由在所述的钻头类型的控制
8.2
持久保护位
持久性保护位是独特的和非易失性的,每个扇区和具有相同的耐力水平作为
闪存。预编程和擦除前的验证是由设备处理的,并且因此
不要求系统监控。
笔记
1.每个PPB单独编程,所有被删除并行。
2.虽然编程PPB为一个扇区,阵列的数据可以从任何其他扇区中读出,除了扇区
0 (用于数据#查询),并在该部门PPB被编程的领域。
3.进入命令禁止读取和选择的行业写道。
4.读取该扇区内返回PPB地位的行业。
5.所有的读取,必须使用读出的模式来执行。
6.具体的扇区地址( A25 - A16 GL01GP , A24 - A16 GL512P , A23- A16 GL256P , A22- A16
GL128P )被写在同一时间作为程序指令。
7.如果PPB锁定位被置位, PPB编程或擦除命令不执行,并多次出
无需编程或擦除PPB 。
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S29GL -P的MirrorBit
TM
快闪族
S29GL - P_00_A3 2006年11月21日