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中文ê （E T）
AC特性
备用CE ＃控制的擦除和编程操作 -
S29GL128N ， S29GL256N ， S29GL512N
参数
JEDEC
t
AVAV
t
AVWL
标准。
t
WC
t
AS
T
ASO
t
ELAX
t
AH
t
AHT
t
DVEH
t
EHDX
t
DS
t
DH
t
CEPH
t
OEPH
t
GHEL
t
WLEL
t
EHWH
t
ELEH
t
EHEL
t
GHEL
t
WS
t
WH
t
CP
t
CPH
描述
写周期时间
地址建立时间
在触发位地址建立时间OE ＃低
轮询
地址保持时间
地址保持时间从CE ＃或OE ＃高时
触发位投票
数据建立时间
数据保持时间
CE ＃高时触发位投票
OE ＃在触发位高投票
阅读恢复时间之前写
（ OE ＃高到我们＃低）
WE＃建立时间
WE＃保持时间
CE＃脉冲宽度
CE＃脉冲宽高
写缓冲器程序操作（注
有效的写缓冲器计划
操作（注
t
WHWH1
t
WHWH1
有效的加速写缓冲器
程序运行（注
程序运行
加快编程
手术
t
WHWH2
t
WHWH2
扇区擦除操作
注意事项：
1.不100 ％测试。
2.见
了解更多信息。
3.对于1-16字/编程1-32字节。
4.有效的写缓冲器规范是基于一个16字/ 32字节的写缓冲区的操作。
5.除非另外指明，交流电源规格为90纳秒， 100纳秒和110纳秒的速度选项采用V测试
IO
= V
CC
= 3 V AC规格为110 ns的速度选择与V测试
IO
= 1.8 V和V
CC
= 3.0 V.
6. 90纳秒的速度选项仅适用于S29GL128N和S29GL256N 。
速度选项
90
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
90
100
100
0
15
45
0
45
0
20
20
0
0
0
35
30
240
15
13.5
60
54
0.5
110
110
110
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
µs
µs
µs
µs
美国证券交易委员会
每字
每字
字
字
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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