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中文ê (E T)
擦除和编程性能
参数
扇区擦除时间
S29GL128N
芯片擦除时间
S29GL256N
S29GL512N
共写缓冲器
编程时间
总有效加速
写缓冲区编程
时间
S29GL128N
芯片编程时间
S29GL256N
S29GL512N
典型值
0.5
64
128
256
240
最大
3.5
256
512
1024
µs
美国证券交易委员会
单位
美国证券交易委员会
不包括00H
编程前
删除
评论
200
123
246
492
µs
不包括系统级
架空
美国证券交易委员会
注意事项:
1.典型的编程和擦除时间假定以下条件: 25 ℃, 3.0 VV
CC
, 10,000次,棋盘
格局。
为90℃ ,V 2,在最坏情况条件
CC
= 3.0 V, 10万次。
3.有效的写缓冲器规范是基于一个16字写入缓冲器的操作。
4.典型的芯片编程时间比列出的最大芯片编程的时间要少得多,因为大多数
字的程序比列出的最高纲领倍的速度。
5.在嵌入式擦除算法的预编程步骤,所有位都删除之前设置为00h 。
6.系统级开销是执行的两个或四个总线周期序列的程序所需要的时间
命令。看
和
有关命令定义的详细信息。
引脚TSOP和BGA封装电容
参数符号
C
IN
参数说明
输入电容
测试设置
V
IN
= 0
TSOP
BGA
TSOP
BGA
TSOP
BGA
典型值
6
4.2
8.5
5.4
7.5
3.9
最大
7.5
5.0
12
6.5
9
4.7
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
C
OUT
输出电容
V
OUT
= 0
C
IN2
控制引脚电容
V
IN
= 0
注意事项:
1.采样,而不是100 %测试。
2.测试条件牛逼
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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