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S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAIV10图片预览
型号: S29GL128N11FAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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中文ê (E T)
表9 。
地址( X16 )
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
地址( X8 )
36h
38h
3Ah
3Ch
3Eh
40h
42h
44h
46h
48h
4Ah
4Ch
数据
0027h
0036h
0000h
0000h
0007h
0007h
000Ah
0000h
0003h
0005h
0004h
0000h
系统接口字符串
描述
V
CC
分钟。 (写入/擦除)
D7 - D4 :伏, D3 - D0 : 100毫伏
V
CC
马克斯。 (写入/擦除)
D7 - D4 :伏, D3 - D0 : 100毫伏
V
PP
分钟。电压( 00H =无V
PP
管脚存在)
V
PP
马克斯。电压( 00H =无V
PP
管脚存在)
每单字节/字典型超时写2
N
µs
典型的超时最小。大小缓冲区写2
N
µ
S( 00H =不支持)
每个单独的块擦除2典型的超时
N
ms
典型的超时整片擦除2
N
MS ( 00H =不支持)
马克斯。超时字节/字写2
N
时代典型
马克斯。超时缓冲区写2
N
时代典型
马克斯。每个单独的块擦除2超时
N
时代典型
马克斯。超时整片擦除2
N
时代典型( 00H =不支持)
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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