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S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAIV10图片预览
型号: S29GL128N11FAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A
中文ê (E T)
自选命令序列
自动选择命令序列允许主机系统来访问制造商和
设备的代码,并确定一个扇区是否是受保护的。
显示的地址和数据要求。此方法是一种替代
到,在所示
其目的是为PROM编程器,并且需要
V
ID
在地址引脚A9 。自动选择命令序列可被写入到一个地址
无论是在读或擦除暂停读模式。自选命令可能无法被令状
10当设备正在积极进行编程或擦除。
自选命令序列通过先写两个解锁周期开始。这是跟着
由第三写入周期包含自动选择命令钮。然后,器件进入
自选模式。该系统可以读出在任意地址任意次而不ini-
tiating另一个自动选择命令序列:
读周期地址XX00h返回的制造商代码。
三种阅读地址为01H , 0EH周期, 0Fh时返回的设备代码。
读周期向含有扇区地址(SA)的地址,并在A7-的地址02h中
A0字模式返回01H ,如果该部门是受保护的,或00H ,如果它是不受保护的。
该系统必须写入复位命令返回到读取模式(或擦除可持
挂起读取模式下,如果该设备是以前在擦除挂起) 。
进入安全硅行业/退出安全硅
部门命令序列
担保硅业区提供了包含8个字/ 16字节一个安全的数据区
随机电子序列号(ESN ) 。该系统可以访问安全硅行业
通过发出三个周期的区域回车安全硅扇区命令序列。 DE-的
副继续访问安全硅扇形区域,直到系统发出
四冲程退出安全硅部门的命令序列。退出安全硅行业
命令序列将设备返回到正常操作状态。
显示
地址和数据的要求为命令序列。另请参见“安全硅见第
器闪存区域“以获取更多信息。
注意, ACC功能和开锁
旁路模式不可用时,抵押硅部门已启用。
Word程序命令序列
编程为四个总线周期操作。该计划的命令序列由启动
写入两个解锁写周期,随后程序设置命令。该方案AD-
打扮和数据写入下一个,这又引发了嵌入式程序算法。该
系统
需要提供进一步的控制或定时。设备会自动亲
志愿组织内部产生的编程脉冲和验证程序性细胞余量。
显示的单词的相应地址和数据的要求
程序命令序列。
当嵌入式程序算法完成时,设备则返回到读
方式和地址都不再锁定。该系统可以确定亲的状态
克操作使用DQ7或DQ6 。请参考写操作状态部分
这些状态位的信息。
嵌入式编程算法期间写入设备的任何命令都会被忽略。
请注意,安全硅部门,自选和CFI功能不可用
当在编程操作正在进行中。
注意,以
硬件复位
马上三 -
minates的程序操作。该计划的命令序列应该重新开始一次
该设备已经返回到读模式,以确保数据的完整性。
编程允许在地址位置的任何序列和跨越扇区边界。
规划到同一个字地址多次不干预擦除( incremen-
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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