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S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAIV10图片预览
型号: S29GL128N11FAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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中文ê (E T)
64位密码
64位密码位于其自己的存储空间,并且通过使用访问
密码程序和密码读取命令。密码功能的工作原理IN连接
结与密码保护模式锁定位,这在编程,防止
密码读取密码的内容上的引脚读命令
装置。
持久保护位锁定( PPB锁定位)
全球挥发性位。该PPB锁定位是一种挥发性位,反映了密码的状态
上电后复位保护模式锁定位。如果密码保护模式锁定位
编程密码后,还编写,密码解锁命令必须是
发出明确和解冻硬件复位后, PPB锁定位( RESET #断言)或
上电复位。成功执行的口令解锁命令清除并解冻
该PPB锁定位,允许扇区PPB位被修改。而不发出的密码
解锁命令,而断言RESET # ,通过上电复位取设备,或
发出PPB锁定位设置命令设置PPB锁定位到了“冻结状态” 。
如果密码保护模式锁定位未编程,设备默认为持续性
保护模式。在持久保护模式下, PPB锁定位被清除的
解冻
状态
后上电或硬件复位。该PPB锁定位被设置为
冻结状态
通过发布
在PPB锁定位设置命令。一旦设置了
冻结状态
清除的唯一手段
PPB锁定位的“解冻状态”是通过发出一个硬件或电复位。密码
解锁命令被忽略的持久保护模式。
读PPB锁定位需要200ns的访问时间。
安全硅扇区闪存地区
在安全硅行业特点提供了一个闪存区域,使永久
通过一个电子序列号(ESN ),工件标识。担保硅业是
在长度为256个字节,并使用安全硅行业标志位( DQ7 )来表示是否
或者没有担保硅业是从出厂时锁定。此位是perma-
nently在出厂时设定的,不能改变,从而防止一个工厂的克隆锁定
的一部分。这确保了将ESN的安全,一旦产品被运到现场。
工厂提供设备与安全硅行业无论是客户可锁定(标
准送货方式)或工厂锁定(与AMD的销售代表订购
信息) 。客户可锁定的版本附带的安全硅行业非
保护,让客户收到设备后的部门方案。该
客户可锁定的版本也有安全硅行业标志位永久设置
到A
0.
工厂锁定版本始终受到保护从工厂发货时,具有
在安全硅行业标志位永久设置为
1.
因此,安全硅见第
器标志位可以防止客户可锁定设备被用来代替设备的
在出厂时被锁定。
本设备的安全硅扇区地址空间分配如下:
安全硅行业
地址范围
000000h–000007h
000008h–00007Fh
客户可锁定
ESN工厂锁定
ESN
不可用
ExpressFlash
工厂锁定
ESN或决定
客户
由下式确定
客户
由下式确定
客户
系统将进入安全硅部门通过一个命令序列(见“写
quence ,它可以读取担保硅业采用通常所占用的地址
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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