D A T A
中文ê （E T）
河谷位编程）是允许的。字编程用于支持向后
与现有的闪存驱动软件和个别单词偶尔写的兼容性。
使用写缓冲区编程的强烈推荐用于一般用途的编程
当余数字将被编程。有效字编程时间
使用写缓冲区编程比单个词编程的时间要短得多。
任何一点不能从编程
0
回一个
1.
尝试这样做可能会导致
设备设置DQ5 = 1，或导致DQ7和DQ6的状态位，以指示该操作是
成功的。然而，随后的读出显示数据是静止
0.
只有擦除操作
可以转换
0
到A
1.
解锁绕道命令序列
解锁旁路功能允许系统编程的话该设备比使用快
标准程序命令序列。解锁旁路命令序列启动
通过先写两个解锁周期。这之后是含有解锁的第三写周期
旁路命令， 20H 。然后设备进入解锁旁路模式。两周期解锁
旁路程序命令序列是在该模式中进行编程所需的所有。第一
循环在这个序列中包含解锁绕道程序命令：A0H ;在第二周期
包含该程序的地址和数据。附加数据被编程以相同的方式。
在标准程序所需的初始两个解锁周期这种模式省去的COM
命令序列，从而缩短了总的编程时间。
和
显示为命令序列的要求。
在解锁旁路模式下，只有解锁绕道程序和解锁绕道复位
命令是有效的。退出解锁旁路模式下，系统必须发出两个周期的
解锁绕道复位命令序列。 （见
和
写缓冲区编程
写缓冲区编程使系统写入到最大的16个字/在一个32字节
编程操作。这导致更快的有效编程时间比标准
编程算法。写缓冲器编程命令序列被启动
先写两个解锁周期。这之后是包含写的第三写周期
缓冲加载命令写在其中发生的编程扇区地址。第四
周期写入扇区地址和字位置的数量，减1 ，成为亲
编程。例如，如果系统方案6独特的地址位置，然后值05h应
被写入到设备。这告诉该设备的写入缓冲区地址多少装
与数据，因此当预期的计划缓冲区到Flash命令。数
的位置，以节目不能超过写入缓冲区的大小或中止该操作。
第五个周期中写入第一地址位置和数据进行编程。该
写缓存页面选择地址位一
最大
–A
4
。所有后续的地址/数据对
必须落在所选写入缓冲区页之内。然后，系统写入剩余的AD-
裙/数据对写入写缓冲器。写缓存位置可以以任何顺序进行加载。
写入缓冲页地址必须是相同的加载到所有地址/数据对
写缓冲区。 （这意味着写缓冲区编程不能在多个执行
写缓存的页面。这也意味着，写缓冲器编程不能进行
在多个部门。如果系统尝试加载SE-外编程数据
lected写缓存页面，操作中止。 ）
注意，如果一个写缓冲器地址位置被加载多次时，地址/数据对
计数器递减为每个数据加载操作。因此，主机系统必须AC-
算用于装载一个写缓冲器位置多于一次。计数器递减为每
数据加载操作，而不是为每个唯一的写入缓冲器地址位置。还要注意的是，如果一个
地址位置加载不止一次到缓冲区中，最后的数据加载的AD-
礼服编程。
52
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，
SPANSION [ SPANSION ]
