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一旦已加载的写入缓冲器位置指定号码，系统必须再
写程序缓冲区的扇区地址为flash命令。任何其他的地址和数据
组合中止写入缓冲器编程操作。该装置然后开始亲
编程。同时监测装入的最后地址位置的数据的轮询，应使用
写缓冲区。 DQ7 ， DQ6 ， DQ5和DQ1应监测，以确定设备台站
写缓冲区编程期间土族。
写缓冲器编程操作可以使用标准程序暂停可持
挂起/恢复命令。在成功完成写入缓冲区编程
操作中，该装置已准备好执行下一个命令。
写缓冲区编程序列可以被中止在以下方面：
位置的数量时加载一个值，该值大于页缓冲区大小
程序步骤。
写入到一个地址中比在指定的不同的扇区
写缓冲负载的命令。
写地址/数据对以不同的写入缓冲页不是由所选择的所述一个
在操作过程中的写入缓冲器中的数据装载阶段开始地址。
数据加载赛扬指定数量后，写入数据要比确认命令等
克莱斯。
中止条件由DQ1表示= 1， DQ7 = DATA ＃ （最后地址位置
加载） ， DQ6 =切换，并DQ5 = 0 。写至缓冲区中止复位命令序列必须
被写入到复位器件进行的下一个操作。
写缓冲区编程允许以任何顺序。需要注意的是担保硅业，
自动选择和CFI的功能是不可用的，当一个程序操作正在进行中。这
闪光装置是能够处理多个写缓冲器编程操作在同一
写缓冲区地址范围不干预擦除。
在写入缓冲器地址中的任何位
范围不能从编程
0
回一个
1.
尝试这样做可能会导致
设备设置DQ5 = 1，或导致DQ7和DQ6的状态位，以指示该操作是
成功的。然而，随后的读出显示数据是静止
0.
只有擦除操作
可以转换
0
到A
1.
加速计划
该设备通过WP ＃ / ACC引脚提供加速方案业务。当系
TEM断言V
HH
在WP ＃ / ACC引脚，器件自动进入解锁绕道
模式。然后，系统可写的两个周期的解锁绕道程序命令序列。
器件使用于WP ＃ / ACC销较高的电压，以加速的操作。
注意
该
WP ＃ / ACC
脚绝不能在V
HH
对于操作要比加速编程，或其他
设备的损坏可能会导致。 WP ＃有一个内部上拉电阻;未连接时， WP ＃是V
IH
.
示出了该算法的程序操作。参考擦除
和编程操作的第
对于参
ETERS和
时序图。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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