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    S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL128N11FAIV10图片预览
    型号： S29GL128N11FAIV10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 100 页 / 2678 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第74页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第75页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第76页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第77页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第79页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第80页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第81页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第82页  
    D A T A
    中文ê （E T）
    关键开关波形
    波形
    输入
    稳定
    改变从H到L
    改变以L至H
    不关心，任何允许更改
    不适用
    改变，状态未知
    中心线为高阻抗状态（高阻）
    输出
    V
    IO
    0.0 V
    输入
    0.5 V
    IO
    测量级别
    0.5 V
    IO
    V
    产量
    注意：
    如果V
    IO
    ＆ LT ; V
    CC
    时，输入的测量的参考电平为0.5V
    IO
    .
    图10.输入波形和
    测量级别
    76
    S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
    2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，

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