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    S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL128N11FAIV10图片预览
    型号： S29GL128N11FAIV10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 100 页 / 2678 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第73页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第74页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第75页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第76页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第78页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第79页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第80页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第81页  
    D A T A
    中文ê （E T）
    测试条件
    3.3 V
    设备
    下
    TEST
    CL
    6.2 kΩ
    2.7 kΩ
    注意：
    二极管IN3064或同等学历
    图9 。
    表17 。
    测试条件
    输出负载
    输出负载电容，C
    L
    （包括夹具电容）
    输入上升和下降时间
    输入脉冲电平
    测试设置
    测试规范
    所有速度
    1 TTL门
    30
    5
    0.0–V
    IO
    0.5V
    IO
    0.5 V
    IO
    pF
    ns
    V
    V
    V
    单位
    输入定时测量参考电平（见
    注）
    输出时序测量参考电平
    注意：
    如果V
    IO
    ＆ LT ; V
    CC
    中，参考电平是0.5伏
    IO
    .
    2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，
    S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
    75

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