D A T A
中文ê （E T）
DC特性
CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
参数说明
（注）
输入负载电流（ 1 ）
A9输入负载电流
输出漏电流
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
CE＃ = V
IL
; OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CCmax
;
f
= 1 MHz时，字节模式
I
CC1
V
CC
读操作工作电流（ 1 ）
CE＃ = V
IL
; OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CCmax
;
f
= 5兆赫，字模式
CE＃ = V
IL
; OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CCmax
;
F = 10MHz的
CE＃ = V
IL
; OE ＃ = V
IH ，
V
CC
= V
CCmax
;
F = 10MHz的
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CCmax
;
F = 33 MHz的
6
30
60
1
5
50
1
民
典型值
最大
WP / ACC ： ± 2.0
其他： ± 1.0
35
±1.0
20
50
90
10
mA
20
90
5
mA
µA
mA
单位
µA
µA
µA
I
CC2
V
CC
内页读电流（ 1 ）
I
CC3
I
CC4
V
CC
主动擦除/编程电流（ 2 ，
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH ，
V
CC
= V
CCmax
V
CC
待机电流
V
CC
= V
CCmax
; V
IO
= V
CC
; OE ＃ = V
IH
;
V
IL
= V
SS
+ 0.3 V / –0.1 V;
CE ＃ ， RESET ＃ = V
CC
± 0.3 V
V
CC
= V
CCmax
; V
IO
= V
CC
;
V
IL
= V
SS
+ 0.3 V / –0.1 V;
RESET ＃ = V
SS
± 0.3 V
V
CC
= V
CCmax
; V
IO
= V
CC
;
V
IH
= V
CC
± 0.3 V;
V
IL
= V
SS
+ 0.3 V / –0.1 V;
WP ＃ / A
CC
= V
IH
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH ，
V
CC
= V
CCmax ，
WP ＃ / ACC = V
IH
WP ＃ / ACC
针
V
CC
针
–0.1
0.7× V
IO
V
CC
= 2.7–3.6 V
V
CC
= 2.7–3.6 V
I
OL
= 100 µA
I
OH
= -100 µA
0.85× V
IO
2.3
11.5
11.5
I
CC5
V
CC
复位电流
1
5
µA
I
CC6
自动休眠模式（ 4 ）
1
5
µA
I
加
ACC加速编程电流
10
50
20
90
0.3× V
IO
V
IO
+ 0.3
12.5
12.5
0.15 x垂直
IO
mA
V
IL
V
IH
V
HH
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
输入低电压（ 5 ）
输入高电压（ 5 ）
电压ACC擦除/编程
促进
电压自动选择和临时
部门撤消
输出低电压（ 5 ）
输出高电压（ 5 ）
低V
CC
锁定电压（ 3 ）
V
V
V
V
V
V
2.5
V
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
在我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式编程或写缓冲区编程正在进行中。
未经100％测试。
自动休眠模式可以在地址保持稳定器吨的低功耗模式
加
+ 30纳秒。
V
IO
= 1.65-1.95 V或2.7-3.6 V
V
CC
= 3 V和V
IO
= 3V或1.8V 。当V
IO
为1.8V ， I / O引脚不能在3V工作。
74
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，
SPANSION [ SPANSION ]
