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S29GL128P10TAI010 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128P10TAI010图片预览
型号: S29GL128P10TAI010
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 77 页 / 2742 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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DA TA
书吨
( Prelimi NAR Y)
图11.2
最大正过冲波形
20纳秒
V
CC
+2.0 V
V
CC
+0.5 V
+2.0 V
20纳秒
20纳秒
11.2
工作范围
特定网络阳离子
环境温度( TA ) ,工业级(I )设备
电源电压
V
IO
电源电压
V
CC
V
IO
范围
-40 ° C至+ 85°C
+2.7 V至3.6 V或
+3.0 V至3.6 V
1.65 V到V
CC
笔记
1.操作范围限定在这些限制之间的装置的功能性得到了保证。
2.另请参见
3.有效的V
CC
/V
IO
一系列的组合,看看
在I / O的没有在3 V时, V操作
IO
= 1.8 V.
11.3
测试条件
图11.3
测试设置
设备
TEST
C
L
2007年11月8日S29GL - P_00_A7
S29GL -P的MirrorBit
®
快闪族
53