欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

S29GL128P10TAI010 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128P10TAI010图片预览
型号: S29GL128P10TAI010
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 77 页 / 2742 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
 浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第52页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第53页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第54页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第55页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第57页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第58页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第59页浏览型号S29GL128P10TAI010的Datasheet PDF文件第60页  
数据
(预利民AR Y)
11.7
AC特性
S29GL -P只读操作
表11.3
S29GL -P只读操作
速度选项
测试设置
V
IO
= V
CC
= 2.7 V
90
90
最大
90
最大
90
最大
最大
最大
最大
100
100
100
100
100
100
100
110
110
110
110
110
110
110
110
110
110
25
25
20
20
0
0
10
35
120
120
120
120
120
120
120
130
130
130
130
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
11.7.1
参数
JEDEC
标准。
描述
(注)
t
AVAV
t
RC
读周期时间
V
IO
= 1.65 V到V
CC
,
V
CC
= 3 V
V
IO
= V
CC
= 3.0 V
V
IO
= V
CC
= 2.7 V
V
IO
= 1.65 V到V
CC
,
V
CC
= 3 V
V
IO
= V
CC
= 3.0 V
V
IO
= V
CC
= 2.7 V
V
IO
= 1.65 V到V
CC
,
V
CC
= 3 V
V
IO
= V
CC
= 3.0 V
t
AVQV
t
地址输出延迟
t
ELQV
t
CE
芯片使能到输出延迟
t
PACC
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
页面访问时间
输出使能到输出延迟
芯片使能到输出高Z
输出使能到输出高Z
输出保持时间从地址, CE #或
OE # ,先到为准
输出使能保持时间
芯片使能保持时间
切换和
数据#投票
t
OEH
t
CEH
笔记
1. CE # , OE # = V
IL
2. OE # = V
IL
3.未经100%测试。
4.查看
测试规范。
5.除非另有说明, AC规格为110 ns的速度选择与V测试
IO
= V
CC
= 2.7 V AC规格为110 ns的速度选项进行测试
随着V
IO
= 1.8 V和V
CC
= 3.0 V.
56
S29GL -P的MirrorBit
®
快闪族
S29GL - P_00_A7 2007年11月8日