DA TA
书吨
（ Prelimi NAR Y）
11.6
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
IO2
I
CC2
I
CC3
DC特性
表11.2
S29GL -P直流特性（ CMOS兼容）
参数说明
（注）
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC ,
V
CC
= V
CC MAX
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CCmax
,
f
= 1兆赫
V
CC
读操作工作电流
V
IO
非活动输出
V
CC
内页读取电流
V
CC
主动擦除/
节目电流（2 ，
V
CC
待机电流
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CCmax
,
f
= 5兆赫
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CCmax
,
f
= 10 MHz的
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH ，
V
CC
= V
CCmax
,
f
= 10 MHz的
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CCmax
,
f
= 33 MHz的
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH ，
V
CC
= V
CCmax
CE ＃ ， RESET ＃ = V
CC
± 0.3 V,
OE ＃ = V
IH ，
V
CC
= V
CCmax
V
IL
= V
SS
+ 0.3 V/-0.1V,
V
CC
= V
CCmax ;
V
IL
= V
SS
+ 0.3 V/-0.1V,
RESET ＃ = V
SS
± 0.3 V
V
CC
= V
CCmax
, V
IH
= V
CC
± 0.3 V,
V
IL
= V
SS
+ 0.3 V / -0.1V ， WP ＃ / ACC = V
IH
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH ，
V
CC
= V
CCmax ，
WP ＃ / ACC = V
HH
WP ＃ / ACC
针
V
CC
针
–0.1
0.7× V
IO
11.5
11.5
6
30
60
0.2
1
5
50
WP / ACC
OTHERS
民
典型值
最大
±2.0
±1.0
35
±1.0
20
55
110
10
10
20
90
mA
mA
mA
mA
µA
µA
单位
µA
I
CC4
1
5
µA
I
CC5
I
CC6
V
CC
复位电流
自动休眠模式
ACC加速
编程电流
输入低电压
输入高电压
250
1
10
50
500
5
20
80
0.3× V
IO
V
IO
+ 0.3
12.5
12.5
0.15 x垂直
IO
µA
µA
I
加
V
IL
V
IH
V
HH
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
mA
V
V
V
V
V
V
电压程序加速V
CC
= 2.7 –3.6 V
电压自动选择和
临时机构撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
V
CC
= 2.7 –3.6 V
I
OL
= 100 µA
I
OH
= -100 µA
0.85× V
IO
2.3
2.5
V
笔记
1.我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式编程或写缓冲区编程正在进行中。
3.未经100％测试。
4.自动休眠模式可以在地址保持稳定器吨的低功耗模式
加
+ 30纳秒。
5. V
IO
= 1.65–3.6 V
6. V
CC
= 3 V和V
IO
= 3V或1.8V 。当V
IO
为1.8V ， I / O引脚不能在3V工作。
2007年11月8日S29GL - P_00_A7
S29GL -P的MirrorBit
®
快闪族
55
SPANSION [ SPANSION ]
