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S71PL129JB0BAW9U0 参数 Datasheet PDF下载

S71PL129JB0BAW9U0图片预览
型号: S71PL129JB0BAW9U0
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内容描述: 堆叠式多芯片产品( MCP )闪存 [Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 149 页 / 2994 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
如果DQ5变高,编程或擦除操作时,写入复位命令
返回银行的阅读模式(或擦除暂停阅读的模式下,如果该银行
在擦除挂起) 。
自选命令序列
自选命令序列允许主机系统访问的制造
商和设备代码,并确定一个扇区是否是受保护的。
自动选择命令序列可以被写入的地址的存储体内
要么是在读或擦除暂停阅读的模式。自选命令
可能不被写入,而该设备正在积极进行编程或擦除的
其他银行。
自选命令序列通过先写两个解锁周期开始。
这之后是第三个写周期包含该存储体地址和所述盟
toselect命令。该银行随后进入自选模式。该系统可
读取任意数量的自动选择编码,而不重新发起的命令序列。
表12
示的地址和数据要求。要确定部门保护
化信息,系统必须写入到相应的银行地址( BA)和
扇区地址(SA)。
该系统必须写入复位命令返回到读取模式(或使用擦除
暂停读取模式下,如果银行以前的擦除挂起) 。
进入安全硅行业/退出安全硅扇区命令
顺序
担保硅业区提供包含随机一个安全的数据区
的dom , 8字的电子序列号(ESN ) 。该系统可以访问
安全硅行业区域发出三个周期进入安全硅
部门命令序列。该设备将继续访问受保护的硅
界区域,直到系统发出的四冲程退出安全硅行业
命令序列。退出安全硅部门的命令序列的回报
该设备正常运行。担保硅业是无法访问的时候
该设备正在执行一个嵌入式程序或嵌入式擦除算法。
表12
示出了两个指令序列的地址和数据要求。
“安全硅扇区闪存区域”
为进一步IN- 39页
形成。
当安全硅部门已启用。
Word程序命令序列
编程为四个总线周期操作。该程序的命令序列
通过写入两个解锁写周期,随后程序建立发起的COM
命令。程序地址和下一个被写入的数据,这又引发了
嵌入式程序算法。该系统是
需要提供进一步限制
的控件或计时。该设备自动提供内部产生程序
豆类和VERI网络上课的程序性细胞保证金。
表12
示的地址,并
数据要求的程序命令序列。
需要注意的是担保
硅业,自选和CFI功能不可用时, [程序/
擦除]操作正在进行中。
当嵌入式编程算法完成,该银行随后返回
在读方式和地址不再锁存。该系统可以确定
该程序的操作通过使用DQ7 , DQ6 ,或RY / BY#状态。看
“写
运行状态“
对这些状态位的信息,第56页。
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S29PL129J的MCP
2004年S29PL129J_MCP_00_A0 6月4日,